BEHLKe product list 

 

Product Group A - Fast thyristor switches for discharge purposes

  • 방전 응용 분야 및 고속 고전압 FDA 환류 다이오드와 관련된 감쇠 정현파 진동 생성을 위한 견고하고 저렴한 HV 스위치
  • 높은 피크 전류 성능
  • 개별 게이트 드라이브가 포함된 다수의 단일 SCR로 인해 신뢰성 및 기대 수명 저하 없이 매우 높은 di/dt
  • 과부하에 매우 강한 내구성
  • 간단한 TTL 트리거 펄스(2-5V)를 통한 손쉬운 Firing
  • 매우 컴팩트하고 가벼운 무게
  • 다양한 냉각 옵션
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    참고: dv/dt 및 di/dt 기능이 매우 제한된 기존 디스크 사이리스터 스위치와 달리 고속 Behlke 사이리스터 스위칭 모듈은 병렬 및 극단적인 dv/dt 및 di/dt가 단일 사이리스터에 대해 중요하지 않은 값으로 효율적으로 분할되도록 직렬로 연결됩니다. 모든 단일 사이리스터는 고도로 동기화되고 격리된 자체 게이트 드라이버에 의해 작동됩니다. 이는 매우 짧은 게이트 배선을 가능하게 하고 고전적인 사이리스터 스위치 설계에서 알려진 위험한 핫스팟을 방지합니다. Behlke 사이리스터 스위치는 물리적으로 가능한 최고 di/dt 및 dv/dt 속도와 측정 가능한 수명 감소 없이 가능한 최고 피크 전류에서 안전하게 작동할 수 있습니다. Behlke 사이리스터 스위치는 실제로 gate controlled 되며 고전압 부하 회로에서 firing energy를 draw하지 않습니다. 이를 통해 거의 0V(충분한 스냅인 전류 제공)에서 최대 작동 전압까지 아무런 제한 없이 안전하게 전환할 수 있습니다. 스위치는 최대 작동 전압의 최소 150%에 대해 절연되어 있으므로 큰 노력 없이 하이사이드 스위칭 애플리케이션을 실현할 수 있습니다. 특히 로우사이드 스위치 애플리케이션(예: 크로우바 회로)에서 비용과 구축 볼륨을 절약하기 위해 모든 Behlke 사이리스터 스위치는 선택적으로 사용 가능한 비대칭 절연(예: 양극은 200kV, 음극은 30kV입니다. 작동 전압에 관계없이 모든 사이리스터 스위치 모델에 대한 맞춤형 절연 전압 정격을 통해 특별한 절연 전압 요구 사항을 충족할 수 있습니다. "일반" 절연 전압 옵션 범위는 40kV ~ 200kV입니다(옵션 ISO-40, ISO-80, ISO-120 및 ISO-200). 요청 시 유럽 안전 표준에 따른 개별 "의료 인증"이 제공됩니다. 여러 Behlke 사이리스터 스위치를 병렬로 연결하기 위해 동기화 I/O가 장착되어 있습니다. 이 동기화 I/O는 과열 등의 오류 상태로 인해 하나의 스위치가 꺼진 경우 동기화 실행을 보장하고 다른 스위칭 모듈의 트리거 입력을 금지합니다. 모든 Behlke 사이리스터 스위치는 접지 냉각 플랜지(옵션 GCF), 니켈 도금 구리 냉각 핀(옵션 CF), CHARThite 냉각 핀(옵션 CF-GRA), 세라믹 냉각 핀(옵션 CF-CER)을 옵션으로 사용할 수 있습니다. 수냉식(옵션 ILC), 비전도성 냉각제용 직접 액체 냉각(옵션 DLC) 또는 세라믹 냉각 표면(옵션 CSS)이 포함됩니다.
     
     

    Product Group B1 - MOSFET switches with fixed on-time for general purposes

  • 간단한 펄스 및 방전 애플리케이션을 위한 비용 효율적인 고전압 스위치 솔루션
  • 강한 EMC 내성
  • on/off 상태에서 noise 없음
  • 고주파수에서 낮은 제어 전력
  • 100~300ns의 on-time에 따른 유형은 선택적으로 25ns~100μs의 다른 값으로 변경 가능
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    Product Group B2 - MOSFET, fixed on-time, high di/dt and low impedance

  • 매우 낮은 임피던스를 갖춘 MOSFET HV 스위치
  • 매우 빠른 전환 시간
  • 강한 EMC 내성
  • 과부하 및 전압 역전에 강함
  • 높은 스위칭 주파수에서 낮은 제어 전력
  • PCB 부착형
  • 50ns~250ns의 on-time 옵션
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    Product Group B3 - MOSFET, fixed on-time, high di/dt and ultrafast

  • 매우 빠른 turn-on rise time 고전압 스위치
  • 광범위한 작동온도 및 부하조건에서 최고의 신뢰성을 위한 True게이트 제어
  • 매우 낮은 임피던스
  • 강한 EMC 내성
  • 5ns ~ 1μs의 on-time 옵션 사용 가능
  • PCB 부착형
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    Product Group B4- Trench FET, fixed on-time, high current, low on-resistance

  • 매우 낮은 온 저항을 위한 Trench-FET 기술의 HV 스위치
  • 강한 EMC 내성
  • 더 높은 스위칭 주파수에서도 낮은 제어 전력
  • 100ns~100μs의 on-time 옵션 사용가능
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    Product Group C1 - MOSFET switches, variable on-time, for general purposes

  • True릴레이 특성을 갖춘 다용도의 비용 효율적 HV 스위치
  • TTL 신호로 on-time 제어 가능
  • 빠른 전환 시간으로 인해 무시할 수 있는 동적 스위칭 손실
  • 과부하 및 전압 역전에 강함
  • HV 과도 현상에 대한 탁월한 dv/dt 내성
  • 매우 컴팩트하고 가벼운 디자인
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    Product Group C2 - MOSFET switches with variable on-time and high di/dt

  • Ture릴레이 특성을 갖춘 다목적 HV 스위치
  • TTL 신호로 on-time 제어 가능
  • 매우 낮은 임피던스
  • 저주파 및 중간 주파수의 ""hard"" 스위칭 애플리케이션에 이상적
  • 턴온 rise타임 5~15ns
  • 턴오프 rise타임 20~50ns
  • 과부하 및 전압 역전에 강함
  • HV 과도 현상에 대한 탁월한 dv/dt 내성
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    Product Group C3 - MOSFET, variable on-time, low coupling capacitance

  • 진정한 릴레이 특성을 갖춘 다목적 HV 스위치
  • TTL 신호로 on-time 제어 가능
  • 낮은 커플링 커패시턴스로 인한 EMC 단순화 및 용량 손실 감소
  • 최고의 과도 내성을 위한 LC2 기술
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    Product Group C4 - Trench FET, variable on-time, high current, low resistance

  • SILICON CARBIDE FET (SiC) 또는 Trench FET 기술을 통한 매우 낮은 on-resistance
  • True릴레이 특성을 갖춘 다목적 HV 스위치
  • TTL 신호로 on-time 제어 가능
  • 낮은 동적 스위칭 손실 및 극히 낮은 turn-on 손실
  • 산업용 전력 애플리케이션에 이상적
  • 과부하 및 전압 역전에 강함
  • HV 과도 현상에 대한 탁월한 dv/dt 내성
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    Product Group C5 - MOSFET, variable on-time, bipolar, for AC and DC voltage

  • 진정한 릴레이 특성을 갖춘 다목적 HV 스위치
  • 극성에 무관
  • oscillating회로 및 일반 RF 애플리케이션에 이상적
  • TTL 신호로 on-time 제어 가능
  • 과부하 및 전압 역전에 강함
  • 최고의 순간 내성을 위한 LC2 기술
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    Product Group C6 - IGBT switches with variable on-time, high current

  • 진정한 릴레이 특성을 갖춘 다목적 HV 스위치
  • TTL 신호로 on-time 제어 가능
  • 낮은 turn-on 손실
  • 매우 높은 피크 전류 capability
  • 전류 상승 시간 4ns ~ 150ns(전류에 따라 다름)
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    Product Group C7- MCT switches with variable on-time, high current

  • 진정한 릴레이 특성을 갖춘 다목적 HV 스위치
  • TTL 신호로 on-time 제어 가능
  • 낮은 turn-on 손실
  • 높은 서지 전류 capability
  • 200A turn-off capability
  • HV 과도 현상에 대한 탁월한 dv/dt 내성
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    Product Group C8 - MOSFET switches in push-pull configuration (half bridge)

  • 하프브리지 구성의 HV push-pull 스위치
  • 빠른 rise 및 fall 시간을 위한 2개의 스위칭 경로
  • 패시브 스위칭 경로 잠금으로 인한 안전한 작동
  • 교차 전류 없음
  • 용량성 부하에 대한 정밀한 HV 구형파 펄스에 이상적
  • 작동 저항 불필요
  • 대형 HV 입력 에너지 저장 커패시터 불필요
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    Product Group D - HV pulsers & pockels cell drivers

  • 펄서 구성의 HV 스위치
  • 사용 준비 완료
  • 외부 구성 요소가 불필요
  • 시스템 통합에 최적화된 모든 펄서
  • LAB 펄서 CE 인증
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    Product Group E- Fast recovery high voltage diodes, series FDA

  • 유도 부하와 결합된 HTS 무접점 스위치용 환류 다이오드
  • 소프트 리커버리 특성
  • 높은 피크 전류 capability
  • 매우 낮은 인덕턴스
  • 짧은 리커버리 시간
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    Examples of customized HV switches & HV pulsers

  • 간단한 펄스 및 방전 애플리케이션을 위한 비용 효율적인 고전압 스위치 솔루션
  • 강한 EMC 내성
  • on/off 상태에서 noise 없음
  • 고주파수에서 낮은 제어 전력
  • 100~300ns의 on-time에 따른 유형은 선택적으로 25ns~100μs의 다른 값으로 변경 가능
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